一句话概括:视频以英伟达 Rubin Ultra 超大芯片的“翘曲”难题为引子,讲解玻璃基板如何通过可调热膨胀系数、TGV 玻璃通孔和半加成法布线等工艺,替代有机基板核心层来支撑更大尺寸、更高密度芯片,并指出其良率、成本与量产挑战。
要点:
Rubin Ultra 的规格与砍半传闻:英伟达 2025 年 3 月展示的 Rubin Ultra 集成 4 颗 GPU、16 颗 HBM4E 显存,FP4 算力可达 100 PFLOPS,约等于 30 块 5090;16 颗 HBM4E 每颗 64GB,总容量 1024GB,即 1TB。发布一年后,多家媒体称其规模砍半:4 颗 GPU 变 2 颗,算力从 100 PFLOPS 降至 50 PFLOPS,16 颗显存变 8 颗,容量腰斩至 512GB,英伟达官方未正面回应。
传统高端封装结构:这类芯片由多颗 GPU 和显存组成,它们先焊接到硅中介层上。硅中介层通过 TSV 硅通孔和多层金属布线实现芯片间通讯;硅中介层下方再连接到有机基板,有机基板核心层通常由玻璃纤维布加环氧树脂固化而成,然后制作多层金属走线、阻焊层和触点。
翘曲问题的根源:硅的热膨胀系数约 2.6,有机基板约 17,二者差近 7 倍。制造焊接时需加热到约 260°C 让无铅焊料融化,冷却后有机基板急剧收缩,导致焊接难度上升、良率下降。日常使用中芯片温度在 50–100°C 波动,反复热胀冷缩会让焊点疲劳开裂,甚至报废,这就是翘曲问题。芯片越大,问题越严重。
玻璃为什么能解决翘曲:玻璃的热膨胀系数更接近硅,受热膨胀可与硅片同步;同时玻璃是非晶体,可以通过掺入不同比例物质来“无极调节”热膨胀系数,尽量兼顾周围所有材料。因此,用玻璃替代有机基板核心层,成为解决大面积芯片翘曲的关键方向。
TGV 玻璃通孔:飞秒激光诱导刻蚀:在薄而脆的玻璃上打微孔不能用钻头或普通激光烧灼,否则容易开裂。这里使用激光诱导刻蚀:先用飞秒激光照射,飞秒激光持续时间约一千万亿分之一秒,峰值功率极高但总能量很小,可直接打破化学键而非靠大量热量烧蚀。激光焦点移动使玻璃局部结构松弛,再把玻璃泡入氢氟酸,被松弛处腐蚀速度快几倍,最终形成贯穿玻璃的孔洞。
通孔金属化:钛与铜:玻璃和铜粘不住,铜也难以与二氧化硅表面形成化学键,所以要先在孔洞内壁铺一层钛。钛喜欢氧,能与二氧化硅中的氧原子形成坚固的钛氧键;之后填充铜,钛和铜之间又能形成金属键。这里使用物理气相沉积(PVD)/溅射工艺:真空、氩气、等离子体、靶材,把钛原子和铜原子打到玻璃上。因溅射原子沿直线运动,孔太深时不易全覆盖,这也是玻璃通孔深宽比难做大的原因之一。最后通过硫酸铜溶液电镀填满铜。
半加成法制作布线:玻璃通孔完成后,先贴 ABF 薄膜。ABF 指 Ajinomoto Build-up Film,味之素公司产品,由二氧化硅和有机树脂制成,绝缘性和平整度好。之后激光打孔,化学沉积约 1 微米薄铜,贴感光膜,用紫外光透过电路掩模曝光,显影去掉未曝光区域,再电镀加厚裸露铜区域,最后去膜并闪蚀几十秒到 1–2 分钟,去除薄铜,保留厚铜线路。这就是半加成法。
改良型半加成法与 SLP:改良型半加成法流程类似,但用直接贴合的超薄铜膜替代化学沉积铜膜,精度不如原版,但成本更低。iPhone X 开始,苹果 PCB 使用这种改良型半加成法,得到更高走线密度,这种 PCB 称为 SLP,即“类载板/类基板”。后续其他手机厂商也跟进,现在手机里几乎都是这种 SLP。
玻璃基板的完整制作逻辑:玻璃基板正面和背面都可以重复“ABF 薄膜 + 半加成法”制作多层电路。它与有机基板布线流程一模一样,区别只在核心层:有机基板核心层是玻璃纤维布加有机树脂,玻璃基板核心层是玻璃加 TGV 穿孔,因此叫玻璃核心基板。
玻璃基板的优势与现状:玻璃核心基板热膨胀系数可调,可有效避免大面积芯片翘曲;同时玻璃核心层比有机核心层更平整,布线密度也可以更高。但它还没有大规模量产,主要目的是解决大尺寸芯片翘曲问题,与传统的有机基板不是替代关系,而是互补关系。玻璃基板的前途一方面取决于 Rubin Ultra 这类大块头芯片能否继续走下去,另一方面取决于自身能否跨过良率和成本两道坎。
下期预告:视频最后指出,硅中介层制造也非常困难,业界也在尝试用玻璃替代,即玻璃中介层;其制作方法留到下一期讲解。